多晶硅要达到电子级纯所采用的方法是A. 三氯氢硅的氢还原法B. 区域提纯法C. 直拉法D. 悬浮区熔法

本题考查多晶硅达到电子级纯所采用的方法的相关知识。解题思路是对每个选项所涉及的方法进行分析，判断其是否能使多晶硅达到电子级纯。

• A选项：三氯氢硅的氢还原法
  三氯氢硅的氢还原法是目前工业上生产电子级多晶硅的主要方法。其反应原理为$SiHCl_{3}+H_{2}\stackrel{高温}{=\!=\!=}Si + 3HCl$。在这个过程中，可以通过精确控制反应条件，如温度、压力、气体流量等，以及对原料的高纯度要求，有效地去除杂质，从而得到电子级纯的多晶硅。所以该方法能够使多晶硅达到电子级纯。
• B选项：区域提纯法
  区域提纯法是一种用于提纯金属或半导体材料的方法，它是通过在材料中形成一个狭窄的熔化区域，并使该区域沿着材料缓慢移动，利用杂质在固相和液相中的溶解度差异，将杂质集中到材料的一端，从而达到提纯的目的。但它一般是在已经有一定纯度的多晶硅基础上进行进一步提纯，不是最初获得电子级纯多晶硅的主要方法。
• C选项：直拉法
  直拉法是一种生长单晶硅的方法，它是将多晶硅原料加热熔化，然后用籽晶慢慢提拉，使硅原子在籽晶上按一定的晶体结构排列生长成单晶硅棒。直拉法主要用于生长单晶硅，而不是直接获得电子级纯的多晶硅。
• D选项：悬浮区熔法
  悬浮区熔法也是一种生长单晶硅的方法，它是将多晶硅棒在真空或惰性气氛中加热，使棒的一端熔化，利用表面张力使熔化的部分悬浮起来，然后通过籽晶提拉生长成单晶硅。同样，它主要用于生长单晶硅，并非获得电子级纯多晶硅的方法。