二、判断题(每小题1.5分,共9分)-|||-1.连续固溶体可以是替位式固溶体,也可以是间隙式固溶体 ()-|||-2.管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向,而解理向的确定应根-|||-据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。(√)-|||-3.当位错线与滑移矢量垂直时,这样的位错称为刃位错,如果位错线与滑移矢-|||-量平行,称为螺位错(√)-|||-4.热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动,在二氧化硅表面与氧化剂反应生-|||-成二氧化硅。 ()-|||-5.热氧化生长的Si O2都是四面体结构,有桥键氧、非桥键氧,桥键氧越多结构-|||-越致密,SiO2中有离子键成份,氧空位表现为带正电。 ()-|||-6.SiO2中5价的网络形成者可使结构强度增加,而3价的网络形成者可使结构-|||-强度减小(√)-|||-7.Si O2作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。(√)-|||-8.硅热氧化形成SiO2体积将增加约1倍 ()-|||-9.温度对氧化速率常数A、B都有影响,压强只影响氧化速率常数B。 ()-|||-10.在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。 ()