进入半导体中的掺杂杂质要替代硅晶格格点处的位置,才能形成有效掺杂,这是杂质的激活,激活就是一个高温热处理过程。A. 正确B. 错误

本题考查半导体掺杂及杂质激活的相关知识。解题思路是依据半导体掺杂的基本原理来判断该陈述是否正确。

在半导体材料中，为了改变其电学性能，通常会进行掺杂操作。掺杂是向纯净的半导体中掺入少量的杂质元素。而要使掺入的杂质能够对半导体的电学性能产生有效的影响，也就是形成有效掺杂，杂质原子需要替代硅晶格格点处的位置。

当杂质原子替代了硅晶格格点位置后，在高温热处理过程中，杂质原子会发生激活。激活过程使得杂质原子能够在半导体中提供额外的载流子（电子或空穴），从而改变半导体的导电性能。所以“进入半导体中的掺杂杂质要替代硅晶格格点处的位置，才能形成有效掺杂，这是杂质的激活，激活就是一个高温热处理过程”这一说法是正确的。