P型半导体中电子是多数载流子。()

本题考查P型半导体的载流子相关知识。解题思路是明确P型半导体的形成原理，根据其形成过程判断多数载流子和少数载流子分别是什么，再与题干描述进行对比。
P型半导体是在本征半导体中掺入三价杂质元素（如硼）形成的。三价杂质原子在与本征半导体原子形成共价键时，会缺少一个价电子，从而在晶体中形成一个空穴。由于掺入了大量的三价杂质，所以会产生大量的空穴。而自由电子是由本征激发产生的，本征激发是指在一定温度下，价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在原来的位置上留下一个空穴的过程。在P型半导体中，本征激发产生的自由电子数量远远少于因掺杂产生的空穴数量。因此，在P型半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。题干中说“P型半导体中电子是多数载流子”，这与P型半导体的实际情况不符，所以该说法是错误的。