19.判断题(3分)在化学位移中，电负性越强的元素对周围质子的屏蔽效应减弱，跃迁所需能量高，信号峰在低场出现，化学位移值高( )√ ×

本题考查化学位移中电负性对质子屏蔽效应、跃迁能量、信号峰位置以及化学位移值的影响这一知识点。解题思路是根据电负性与屏蔽效应的关系，逐步推导其对跃迁能量、信号峰位置和化学位移值的影响。

1. 电负性与屏蔽效应的关系：
   电负性是指元素的原子在化合物中吸引电子的能力。当电负性强的元素与质子相连时，它会吸引周围的电子云，使得质子周围的电子云密度降低。而屏蔽效应是指原子核周围的电子云对原子核产生的屏蔽作用，电子云密度越高，屏蔽效应越强。所以，电负性越强的元素对周围质子的屏蔽效应减弱。
2. 屏蔽效应与跃迁能量的关系：
   在核磁共振中，质子的跃迁是在外部磁场作用下，吸收特定能量从低能态跃迁到高能态。屏蔽效应越强，质子所处的实际磁场强度越低，跃迁所需的能量就越低；反之，屏蔽效应减弱，质子所处的实际磁场强度相对升高，跃迁所需的能量就高。因此，电负性强的元素使质子屏蔽效应减弱，跃迁所需能量高。
3. 跃迁能量与信号峰位置的关系：
   在核磁共振谱中，磁场强度从高到低的方向称为高场，从低到高的方向称为低场。跃迁所需能量高意味着质子在较低的外部磁场强度下就能发生跃迁，所以信号峰会出现在低场。
4. 信号峰位置与化学位移值的关系：
   化学位移值是用来表示质子在核磁共振谱中信号峰位置的物理量，它定义为样品中质子的共振频率与标准物质（通常是四甲基硅烷，TMS）的共振频率之差与标准物质共振频率的比值，乘以$10^{6}$得到的数值。信号峰在低场出现，说明质子的共振频率相对较高，化学位移值也就高。